Mémoire Flash

1. La gestion avancée de la mémoire :
• Amélioration des performances globales, de l’optimisation des données et un transfert de ces dernières vers des blocs mémoire
• De puissants scripts de correction des erreurs fournissent à l’utilisateur des fonctions sophistiquées de récupération des données en cas de corruption de celles-

2. Les blocs mémoire NAND
• SanDisk a développé la technologie mémorielle MLC NAND la plus avancée, ce qui signifie que les blocs mémoire sont de la plus grande qualité et fiabilité

3. La durabilité des cartes SD™ :

Semi-conducteurs (Flash)

Les dispositifs de stockage Flash, ou dispositifs de stockage à semi-conducteurs, ne contiennent aucune pièce mobile et ne présentent donc aucun risque de panne mécanique comme les disques durs. Leur fiabilité globale des données leur permet de dominer le marché des produits de mémoire portables centrés sur la commodité, avec l’avantage d’un fonctionnement silencieux constant à zéro décibel.

• Dimensions physiques réduites (ou facteur de forme) : Les dispositifs de stockage Flash sont conçus pour être facilement transportés. La commodité est un critère important, aussi bien pour les applications professionnelles que pour la grande consommation.

• Haute fiabilité des données : Les mémoires Flash sont extrêmement fiables et de nombreux types de dispositifs Flash incluent la vérification de l’intégrité des données par code de correction d’erreur (ECC) et la répartition des niveaux d’usure

Rétention des données Flash

Les dispositifs de stockage Flash Kingston utilisent principalement des mémoires Flash MLC/TLC. La rétention des données dans les mémoires Flash est dynamique, puisque le nombre de cycles d’effacement-écriture affecte la rétention des données. Les informations importantes doivent toujours être sauvegardées sur un autre support pour bénéficier d’une sécurité efficace à long terme.

• Technologie de répartition de l’usure : Les contrôleurs incorporés aux dispositifs de stockage Flash de Kingston utilisent une technologie de répartition d’usure qui distribue uniformément le nombre de cycles d’écriture/ effacement sur l’ensemble de l’espace mémoire Flash. Cette méthode prolonge donc la durée de vie des cartes Flash (pour en savoir plus, voir la Section Endurance des cellules Flash, ci-après).

• Endurance des cellules Flash : Les cellules des mémoires Flash non-volatiles se caractérisent par un nombre limité de cycles d’écriture/ effacement. Cela signifie qu’à chaque écriture et effacement de données, le nombre de cycles d’écriture/ effacement du dispositif de stockage Flash diminue jusqu’à ce que la mémoire Flash ne soit plus utilisable.

• À la date de publication de ce document, les processus de fabrication actuels autorisent jusqu’à 3000 cycles d’écriture par secteur physique (19nm et 20nm) sur des produits de mémoire Flash Multi-Level Cell (MLC). Les produits de mémoire Flash Single-Level Cell (SLC) supportent jusqu’à 30 000 cycles d’écriture par secteur physique. Les produits de mémoire Flash Triple-level Cell (TLC) offrent jusqu’à 500 cycles d’écriture par secteur physique. Les processus de fabrication des matrices de mémoires Flash jouent un rôle déterminant dans l’endurance des cellules, qui diminue avec la miniaturisation des matrices.

• Technologie des mémoires Flash : La technologie Flash Multi-Level Cell (MLC) organise chaque cellule en plusieurs niveaux pour stocker un plus grand nombre de bits avec le même nombre de transistors. La technologie Flash NAND MLC utilise quatre états possibles par cellule. Chaque cellule Single-Level Cell (SLC) peut avoir seulement deux états fonctionnels. Dans des cellules Triple-Level Cell ( TLC), les bits peuvent être stockés dans huit états différents. Les processus de fabrication des matrices de mémoires Flash jouent un rôle déterminant dans l’endurance des cellules, qui diminue avec la miniaturisation des matrices.